Sawt Falasteen - Investigadores de Yale identifican campos rusos adonde fueron trasladados niños ucranianos

A petición del Departamento de Estado estadounidense, el Humanitarian Research Lab (HRL) de Yale recibió el encargo de estimar el número de niños desplazados por las autoridades rusas y la magnitud del fenómeno, relató Nathaniel Raymond, de visita en Estocolmo para un seminario sobre este tema en el Parlamento sueco.

Al principio, relató Raymond, se consideró que la tarea era casi imposible. "¿Cómo encontrar a niños ocultos y protegidos por los servicios de seguridad rusos? ¿En un caso de secuestro en el que solo disponemos de internet e imágenes satelitales?".

La solución apareció gracias a un error cometido por los rusos, ya que responsables locales se tomaron selfies junto a niños ucranianos.

"Los responsables locales, que buscaban ganarse el favor del Kremlin, se tomaban fotos al lado de los niños en los autobuses", explicó Raymond.

"Lo más curioso es que olvidaron desactivar la geolocalización en sus teléfonos. Pudimos extraer la latitud y la longitud de la posición y vimos en las fotos que podíamos identificar sus dispositivos, incluidos sus Apple Watch. Ahí empezamos a profundizar", añadió.

La información se compartió con las autoridades ucranianas.

Desde entonces, analizando otros datos accesibles, en particular las fotos oficiales publicadas por las autoridades rusas, el HRL logró identificar 210 campamentos de reeducación y militares en todo Rusia donde se encuentra una parte de los niños ucranianos. El laboratorio estima su número total en 36.000.

Tras la orden de arresto emitida contra Vladimir Putin por la Corte Penal Internacional (CPI) en 2023, las autoridades rusas dejaron de publicar este tipo de información en línea.

El destino de estos niños debe ser una prioridad absoluta en las negociaciones actuales, subrayó Raymond.

Como consecuencia de los recortes de financiación de la administración Trump, el HRL corre el riesgo de cerrar antes de fin de año y entregó sus datos a Europol.

H.Darwish--SF-PST